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聚焦科技前沿|AEM:消除Mn 3d軌道簡并,抑制J-T畸變制備穩(wěn)定MnO2陰極

2024年07月16日 09:21 來源:北京卓立漢光儀器有限公司

超級電容器(SCs)作為一種具有高功率密度和長循環(huán)壽命的儲能器件,越來越受到研究人員的關注。陰極材料包括過渡金屬基化合物、聚陰離子和普魯士藍類似物,是SCs能量輸出的關鍵決定因素之一。其中,錳基氧化物因其高天然豐度、高理論容量與環(huán)境相容性而備受關注。然而,由于在連續(xù)循環(huán)過程中Mn4+的還原,[MnO6]八面體發(fā)生Jahn-Teller (J-T)畸變導致容量衰減,限制了它們在SCs中的應用。

北京化工大學嚴乙銘教授,楊志宇副教授通過Mg2+離子在過渡金屬(TM)層之間的限域來壓縮[MnO6]八面體,以提高電化學穩(wěn)定性。MnO2中壓縮的[MnO6]構型避免了電化學過程中簡并電子基態(tài)的形成,從而抑制了J-T畸變,有效提高了電化學可逆性。實驗和理論結(jié)果都證實了簡并基態(tài)的避免是由于Mn4+軌道簡并性的消除。這種電子結(jié)構可以減輕J-T畸變,并進一步提高Na+存儲過程中的循環(huán)穩(wěn)定性。

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結(jié)果與討論

[Mn4+O6]八面體的特征是六個對稱排列的氧化物配體的聚集。在Mn4+還原過程中,當雙簡并eg軌道單占據(jù)時,電子密度將遵循非立方分布,導致兩個軸向Mn─O鍵的伸長和四個赤道向Mn─O鍵的收縮。如此結(jié)構變形會導致不良的晶內(nèi)裂紋,并伴隨著結(jié)構穩(wěn)定性差和容量快速衰退??蒲腥藛T為了解決J-T畸變這個問題,常采用低價陽離子(如Li+、Ni2+、Al3+)取代錳基氧化物中的Mn原子,以增加Mn4+含量,從而減輕局部J-T畸變。此外,尖晶石相和異晶石相的陽離子無序構建也可用于減輕協(xié)同J - T畸變(CJTD)。然而,這些方法在可擴展性方面存在缺點。

為了研究Mg2+限域?qū)om-MnO2微觀結(jié)構的影響,本文采用幾何相分析(GPA)研究圖1a、b中cub- MnO2和com-MnO2的應變分布。cub - MnO2具有大量的應變聚集區(qū)域并伴隨可以忽略的應變強度。com-MnO2的應變強度遠高于cub - MnO2,表明Mg2+限域?qū)е耤om-MnO2晶格畸變嚴重。此外,Mg2+限域后,cub - MnO2中的規(guī)則晶格條紋(圖1c)在com-MnO2中扭曲(圖1d),進一步驗證了com-MnO2的扭曲晶體結(jié)構。

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圖1. GPA圖a) cub-MnO2;b) com-MnO2;   HRTEM圖c) cub-MnO2;d) com-MnO2

拉曼光譜(圖2e)闡明了[MnO6]八面體的具體變化。兩個樣品都有三個以481.1、573.6和624.5 cm?1為中心的峰。624.5 cm?1處的峰表現(xiàn)出明顯的紅移,而570.8 cm?1處的峰表現(xiàn)出較小的波數(shù)波動。這兩個峰的變化表明在[MnO6]八面體中Mn─O鍵沿軸向收縮,這證實了在com-MnO2中壓縮[MnO6]八面體的特征。此外,還使用DFT計算模擬了晶體結(jié)構,如圖2f所示。結(jié)果表明,cub-MnO2在不同方向上的Mn─O鍵長相同,均為1.916 ?。而com-MnO2的平均Mn─O鍵長在軸向為1.829 ?,在其他赤道面為1.941 ?,與拉曼結(jié)果吻合較好。

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圖2. XSP圖(a,b);遷移能(c); cub-MnO2he com-MnO2拉曼光譜圖(e)層結(jié)構

com-MnO2具有提升的循環(huán)穩(wěn)定性,其99.1%的容量保留率(圖3f),優(yōu)于cub-MnO2的64.1%,表明com-MnO2伴隨壓縮的[MnO6]增強了可逆Na+存儲性能。

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圖3. 電化學性能

原位XRD和原位Raman證實了com-MnO2具有良好的循環(huán)可逆性和結(jié)構穩(wěn)定性。

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圖4. 原位測試XRD譜和拉曼光譜圖

DFT計算證實了能級分裂,Mn 3d軌道簡并的消除。對于com-MnO2,由于Mn 3d軌道非簡并,Mn4+還原過程中新接受的電子更傾向于占據(jù)能級相對較低的dx2-y2軌道,簡并基態(tài)的消除避免了J-T畸變的發(fā)生(圖5i),有助于提高鈉的插入/提取的可逆性。

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圖5. 能級分裂的計算與機理說明

本文設計并制造了一種具有壓縮MnO6八面體構型的新型層狀陰極com-MnO2。這種具有Mn3d軌道簡并破碎特征的壓縮晶體單元可以避免在循環(huán)過程中形成簡并電子基態(tài),從而減輕J-T畸變,提高電化學Na+存儲的可逆性。com-MnO2陰極提供了434 F g?1的高電容和循環(huán)穩(wěn)定性,在20,000次循環(huán)后容量保持率大大提高了99.1%。原位XRD和Raman均表明,在充放電過程中沒有發(fā)生相變,保持良好的可逆性。

作者簡介

嚴乙銘,教授北京化工大學教授、博導,2008年-2010年,德國弗萊堡大學洪堡學者;期間,2009年瑞典隆德大學洪堡訪問學者;2010年-2017年,北京理工大學引進人才、教授、博導,教育部新世紀優(yōu)秀人才,任北京理工大學能源化工研究所所長、北京理工大學能源化工系主任;2015年入選國家高層次人才。主要從事電化學催化、電化學水處理以及新能源材料與技術的應用研究。已發(fā)表SCI論文100余篇,申請專*14項,授權6項。獲得中國分析測試協(xié)會二等獎, 2012年度北京市科學技術一等獎,2015年國家自然科學二等獎。

楊志宇,北京化工大學副教授。北京理工大學博士學位,清華大學博士后。主要研究方向為電化學領域。目前的研究方向是 (i)電化學儲能,(ii)電催化CO2還原,電催化甲酸氧化和電催化氮還原 (iii)電容除鹽。已發(fā)表一作、通訊SCI論文60余篇,包括JACS、AEM、AFM、Nano Energy、JEC、Small、CEJ、JMCA、JPS,申請專*7項,授權5項。


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關鍵詞: 拉曼光譜

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