光電探測(cè)器分類(lèi) | 光纖光譜儀

1.光電探測(cè)器類(lèi)型

光電探測(cè)器是一種將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的傳感器，廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域，包括醫(yī)療成像、工業(yè)檢測(cè)、環(huán)境監(jiān)測(cè)和通信等。根據(jù)其工作原理和應(yīng)用需求，光電探測(cè)器可以分為多種類(lèi)型：光電二極管（PIN/APD）、光電晶體管、光電倍增管（PTMs）、電荷耦合器件（CCD）、互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）、InGaAs探測(cè)器、熱探測(cè)器（熱電偶、熱敏電阻、微測(cè)輻射熱計(jì)等）、量子阱探測(cè)器、雪崩光電二極管、光電化學(xué)探測(cè)器、光纖探測(cè)器。

2.光電探測(cè)器-應(yīng)用于光纖光譜儀

1.根據(jù)波長(zhǎng)范圍分類(lèi)：

硅基探測(cè)器：波段范圍200~1100nm，一般包括線陣或面陣CCD、CMOS等

InGaAs探測(cè)器：波段范圍900~2500nm， 一般包括線陣或面陣InGaAs探測(cè)器等

2.互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體CMOS

CMOS圖像傳感器利用互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)。每個(gè)像素點(diǎn)都集成了光電二極管和放大電路，通過(guò)光電效應(yīng)將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。

CMOS傳感器特點(diǎn)：

·       低功耗：CMOS傳感器在每個(gè)像素上集成放大器和讀出電路，減少了功耗。

·       高集成度：易于與數(shù)字邏輯電路集成，實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的圖像處理功能。

·       成本效益：與標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝兼容，降低了生產(chǎn)成本。

鑒知技術(shù)光纖光譜儀SR50C、SR70C采用高靈敏度CMOS探測(cè)器，在紫外波段也保證較高的信號(hào)強(qiáng)度。其中鑒知技術(shù)OCT光譜儀OCT830E采用高速線陣CMOS主要應(yīng)用于光學(xué)相干層析成像，可以為用戶提供250KHz，較高效率的信號(hào)采集速度.

3.電耦合器件CCD

CCD通過(guò)在半導(dǎo)體材料上形成的電場(chǎng)來(lái)存儲(chǔ)和傳輸電荷，實(shí)現(xiàn)圖像的捕獲。光子撞擊光電二極管產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，電子被存儲(chǔ)并在時(shí)鐘信號(hào)的控制下沿CCD傳輸。

CCD傳感器特點(diǎn)：

·       高信噪比：由于其線性電荷傳輸特性，CCD提供高分辨率和低噪聲的圖像。

·       高靈敏度：特別適合低光環(huán)境，能夠捕捉微弱的光信號(hào)。

·       動(dòng)態(tài)范圍廣：能夠處理從非常暗到非常亮的光線變化。

鑒知技術(shù)光纖光譜儀SR100B、SR100Z、SR100Q、SR150S采用面陣CCD探測(cè)器，具有高靈敏度，高分辨率高信噪比等特點(diǎn)，可測(cè)量微弱信號(hào)。

值得一提的是具有較好的光譜測(cè)量性能的ST90S，ST100S透射光譜儀，光學(xué)設(shè)計(jì)達(dá)衍射極限，搭配VPH光柵及科研級(jí)CCD探測(cè)器，對(duì)于極弱信號(hào)的測(cè)量提供了選擇

4.InGaAs探測(cè)器

InGaAs探測(cè)器是一種基于銦鎵砷化物的紅外探測(cè)器，特別適用于1-2.5微米波長(zhǎng)的紅外光檢測(cè)。通過(guò)改變銦和鎵的比例，可以調(diào)整探測(cè)器的響應(yīng)波長(zhǎng)。

InGaAs傳感器特點(diǎn)：

·       波長(zhǎng)選擇性：InGaAs探測(cè)器對(duì)特定波長(zhǎng)的紅外光較敏感，適合光譜分析。

·       高量子效率：在特定波長(zhǎng)范圍內(nèi)，InGaAs探測(cè)器具有很高的光電轉(zhuǎn)換效率。

·       工作溫度范圍寬：可以在室溫下工作，無(wú)需低溫制冷。

北京鑒知技術(shù)有限公司（江蘇鑒知技術(shù)有限公司）光纖光譜儀SR50R、SR50N14、SR100N17、SR100N25、ST50S均采用InGaAs探測(cè)器探測(cè)不同波段的近紅外光譜信號(hào)